RBSiC brancheur branche

RBSiC Spiral Silisyòm karbid entwodiksyon bruler

Reyaksyon Bonbon Silisyòm Carbide (RBSiC oswa SiSiC) seramik adopte glise-Distribisyon teknoloji. Seramik yo gen gwo fòs ak ekselan dite, mete, rezistans korozyon, rezistans oksidasyon ak rezistans chòk tèmik, elatriye Li nan youn nan seramik yo ki pi popilè refraktory. Li ka fèt nan travès, woulèt, refwadisman lè tiyo, tèmik tib pwoteksyon koup, pati poze sele ak pati espesyal ki gen fòm.

RBSiC espiral brûler teknik done

Remak: done yo se valè tipik nan echantiyon tès, pa done egzak nan tout pwodwi nan konpayi nou an.

RBSiC (SiSiC) resipyan piki deulphurization se pati yo kle nan sistèm desulphurization gaz la nan jenerasyon pouvwa ak chofaj gwo.

Yo te enstale nan sistèm FGD a nan jenerasyon pouvwa anpil ak chofaj gwo.

Kontwol kalite

1. Tyeke matyè premyè anvan pwodwi.

2. Tcheke youn pa youn avan yo te fèb

3. Tcheke youn pa youn pandan pwodiksyon an

4. Fè enspeksyon o aza anvan livrezon an.

MILESTONES KONPAYI

2009 HUANSHANG HIGHTECH co, Ltd. Te fonde, ak pwensipal pwodwi nan oksid silikon kabin au Mèb.

2010 Etabli depatman enpòte ak ekspòtasyon nou an, pwodwi nou yo antre nan Inyon Ewopeyen ak mache Azyatik.

2011 Envesti pou fè reyon kosyon pwodwi silikon karbid.

2012 kòmanse kolaborasyon ak NGK, TOTO ak kèk izolasyon pi popilè ak sanitè manifakti Ware nan Japon ak Vietanam, nou bay mèb nou an carbure au furnace.

2013 nou te achte pi gwo founo pou elaji kapasite nou yo.

2014 New faktori te etabli, epi nou devlope nouvo pwodwi, Silisyòm Nitride seramik, sa a materyèl yo itilize pou aliminyòm FOUNDRY.

2015 Devlope nouvo ajans pou seramik Silisyòm Silisyòm nou yo nan Kore di, Japon ak Endonisa.

2016 etabli koperasyon ak cordierite-mullite faktori mèb au

2017 etabli koperasyon ak alumina seramik faktori

Baj popilè: RBSiC espiral brûler, Lachin, manifaktirè, Swèd, faktori, pri