Carbide silikat plak
video

Carbide silikat plak

Plak Carbide-Silicate (SiC) yo disponib nan yon seri gwosè, epesè, ak fòm pou satisfè kondisyon aplikasyon diferan. Plak Sic yo ka itilize tou nan konbinezon ak lòt materyèl, tankou metal, polymère, ak seramik, pou kreye konpoze pèfòmans-wo...
Voye rechèch
Pwodwi Entwodiksyon
Entwodiksyon

 

Plak Silisyòm Carbide (SiC) yo se plak seramik wo-fòs ki lajman itilize nan aplikasyon endistriyèl akòz pwopriyete eksepsyonèl mekanik, tèmik ak chimik yo. Plak Sic yo fèt pa diferan may nan poud SiC nan tanperati ki wo, sa ki lakòz yon materyèl dans ak difisil ki ofri ekselan rezistans nan mete, korozyon, ak tanperati ki wo.

 

Pwodwi Avantaj

 

Silisyòm Carbide Plak (SiC Plate) yo li te ye pou gwo fòs mekanik yo ak severite, ki fè yo ideyal pou itilize nan aplikasyon pou mande tankou porselèn chak jou, segondè vòltaj elektrik porselèn, ak konpozan ki reziste.
Plak Sic tou gen ekselan pwopriyete tèmik, ki gen ladan konduktiviti tèmik segondè ak ekspansyon tèmik ki ba, ki fè yo ideyal pou itilize nan aplikasyon pou wo-tanperati.
Anplis de sa, plak SiC gen ekselan rezistans chimik, ki fè yo ideyal pou itilize nan anviwònman chimik piman bouk.
Plak Sic yo rezistan a anpil asid, baz, ak ajan oksidan, epi yo ka kenbe tèt ak ekspoze a gaz korozif ak likid.

Plak SiC yo disponib nan yon seri gwosè, epesè, ak fòm pou satisfè kondisyon aplikasyon diferan.
Plak Sic yo ka itilize tou nan konbinezon ak lòt materyèl, tankou metal, polymère, ak seramik, pou kreye konpoze pèfòmans-wo.

104 文字介绍660.png

 

Tipik analiz kalite

 

ATIK

INITE

ENDEX

Konpozisyon chimik SIC: SIC ki pi gran pase oswa egal a

%

90

Pwopriyete fizik

Max. Tanperati sèvis.

degre

1550

Refractoriness Pi gran pase oswa egal a

gratèl

39

Refractoriness anba load(2kg/cm2) Greater than or equal to

degre

1750

Modil rupture nan tanperati chanm. Pi gran pase oswa egal a

Kg/cm2

500

Modil rupture nan 1400 degre Pi gran pase oswa egal a

Kg/cm2

550

Fòs konpresyon pi gran pase oswa egal a

Kg/cm2

1300

Ekspansyon tèmik nan 1000 degre

%

0.42-0.48

Aparan porosite

%

7-8

Dansite esansyèl

g% 2fcm3

2.70-2.75

Kondiktivite tèmik nan 1000 degre

Kcal/m.hr. degre

13.5-14.5

 

Kòm karakteristik fonksyonèl ki anwo yo, yo ka fèt sou demann kliyan yo.

 

Karakteristik pwodwi yo

 

1. Ekselan estabilite tèmik ak rezistans deformation nan tanperati ki wo.

2. Segondè fòs mekanik nan tanperati ki wo.

3. Ekselan rezistans chòk tèmik.

4. Segondè konduktiviti tèmik.

5. Ekselan rezistans oksidasyon.

6. Ekselan rezistans korozyon nan tanperati ki wo.

7. ekselan kowozyon rezistans kont pwodwi chimik yo.

8. Segondè rezistans fwotman.

104 文字介绍1600.png

Aplikasyon pwodwi yo

 

Plak Silisyòm Carbide (SiC) yo se yon materyèl serye ak pèfòmans segondè ak pwopriyete eksepsyonèl mekanik, tèmik ak chimik. Konbinezon inik nan pwopriyete yo fè yo ideyal pou itilize nan yon pakèt aplikasyon endistriyèl, ki gen ladan porselèn pou itilize chak jou, segondè vòltaj elektrik porselèn, konpozan ki reziste, ak aplikasyon pou wo-tanperati.

Silicon Carbide

 

Baj popilè: carbure silicate plak, Lachin, manifaktirè, founisè, faktori, pri

Voye rechèch

whatsapp

Telefòn

VK

Rechèch